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FUJI富士IGBT模块7MBR100VN120-50
FUJI富士IGBT模块7MBR100VN120-50;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售7MBR100VN120-50;富士6单元IGBT模块7MBR100VN120-50
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FUJI富士IGBT模块7MBR150VN120-50
FUJI富士IGBT模块7MBR150VN120-50;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售6MBI75UB-120;富士6单元IGBT模块7MBR150VN120-50
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FUJI富士IGBT模块6MBI75UB-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI75UA-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI35S-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI50UA-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI100S-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI100VB-120-50
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FUJI富士IGBT模块6MBI100UB-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI150UB-120
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IGBT模块GA100TS120K
IGBT模块GA100TS120K,北京京诚宏泰科技有限公司专业销售GA100TS120K;IR模块GA100TS120K;技术参数:VCES=1200V ;IC=100A
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IGBT模块GA75TS120U
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东芝IGBT模块MG900GXH1US53
东芝IGBT模块MG900GXH1US53;TOSHIBA东芝高压IGBT模块MG900GXH1US53;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售MG900GXH1US53
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三菱IGBT模块CM1400DU-24NF
三菱CM1400DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1400DU-24NF;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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三菱IGBT模块CM1200E4C-34N
三菱CM1200E4C-34N北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1200E4C-34N;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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CM900DU-24NF三菱IGBT模块
三菱CM900DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM900DU-24NF;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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三菱IGBT模块CM300DY-28H
三菱CM300DY-28H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300DY-28H;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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三菱IGBT模块CM400DY-34A
三菱CM400DY-34A北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34A;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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三菱IGBT模块CM400DY-34H
三菱CM400DY-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34H;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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三菱IGBT模块CM400DU-34KA
三菱CM400DU-34KA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DU-34KA;IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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